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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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测量激光器芯片用的夹具及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张胜利;  孙建华;  祝宁华
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便携式低功耗微照明用光纤冷光源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  祝宁华;  张尚剑;  刘宇;  袁海庆;  曾雄文
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面发射激光器同轴封装用的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张胜利;  孙建伟;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(402Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1143/420  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SJ;  Zhu NH;  Liu J;  Zhang JB;  Xie L;  Zhang, SJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(98Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：833/234  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu C;  Zhang SJ;  Xie L;  Zhu NH;  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@red.semi.ac.cn
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Si(111)上GaN的NH3-MBE生长及MSM 紫外探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  张南红
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