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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
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砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  梁平;  王晓晖
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao-Jie, Y (Yang Xiao-Jie);  Qing, W (Wang Qing);  Wen-Quan, M (Ma Wen-Quan);  Liang-Hui, C (Chen Liang-Hui);  Xiao-Jie, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nano Optoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yangxj@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Wang JX (Wang Jun-Xi);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Li JM (Li Jin-Min);  Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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