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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  严清峰;  余金中;  刘忠立
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏红振;  余金中;  夏金松;  严清峰;  刘忠立;  房昌水
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡桂青;  孔翔;  王乙潜;  万里;  段晓峰;  陆沅;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  孔云川;  周大勇;  澜清;  刘金龙;  苗振华;  封松林;  牛智川
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