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1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  方志丹;  倪海桥;  韩勤;  龚政;  张石勇;  佟存柱;  彭红玲;  吴东海;  赵欢;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H (Wang H.);  Huang Y (Huang Y.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Wang LL (Wang L. L.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang Y (Huang Y.);  Wang H (Wang H.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Li DY (Li D. Y.);  Zhang JC (Zhang J. C.);  Wang JF (Wang J. F.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang TT (Kang Ting-Ting);  Liu X (Liu Xianglin);  Zhang RQ (Zhang Ri Q.);  Hu WG (Hu Wei G.);  Cong G (Cong Guangwei);  Zhao FA (Zhao Feng-Ai);  Zhu Q (Zhu Qinsheng);  Kang, TT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ktt219@163.com
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gainnas/gaas Quantum Wells  Optical Properties  Nonradiative Recombination Effect  Time-resolved Photoluminescence  Pl Decay Dynamics  Pl Thermal Quenching  Molecular-beam Epitaxy  Gaasn Alloys  Excitation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Q (Sun, Q.);  Wang, H (Wang, H.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Jin, RQ (Jin, R. Q.);  Huang, Y (Huang, Y.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Yang, H (Yang, H.);  Jahn, U (Jahn, U.);  Ploog, KH (Ploog, K. H.);  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  陈涌海;  姚江宏;  舒强;  刘如彬;  舒永春;  王占国;  许京军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵谦;  潘教青;  张靖;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  安欣;  赵玲娟;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵谦;  潘教青;  张靖;  李宝霞;  周帆;  王宝军;  王鲁峰;  边静;  赵玲娟;  王圩
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