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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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In(Ga)As/GaAs自组织量子点激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  汪辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁恩主;  郑婉华;  冯军;  李远境;  李卉;  王志功;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑新和;  渠波;  王玉田;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  熊绍珍;  赵颖;  吴春亚;  郝云;  王跃;  陈有素;  杨恢东;  周祯华;  俞钢
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马慧莲;  江晓清;  杨建义;  王明华;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王东辉;  李刚;  林雨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晖;  陈弘达;  梁琨;  杜云;  唐君;  黄永箴;  潘钟;  马骁宇;  吴荣汉;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晖;  陈弘达;  梁琨;  杜云;  唐君;  黄永箴;  潘钟;  马晓宇;  吴荣汉;  王启明
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