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一种氮化物薄膜外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 3996
发明人:  闫发旺;  高海永;  张 扬;  张会肖;  李晋闽;  曾一平;  王国宏 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘媛媛;  方高瞻;  马骁宇
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一种二极管激光泵浦头 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘媛媛;  方高瞻;  李伟;  马骁宇
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一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高永海;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Cai PF;  Dong JJ;  Gao Y;  Yin ZG;  Chen NF;  Wang RZ;  Yan H;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY;  Zhang W;  Wang LJ;  Gao Y;  Yin W;  Zhang QD;  Liu WF;  Liu FQ;  Wang ZG;  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu L;  Chen NF;  Wang Y;  Bai YM;  Cui M;  Gao FB;  Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao HY;  Yan FW;  Zhang Y;  Li JM;  Zeng YP;  Wang JX;  Gao HY Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hygao2005@yahoo.com
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短腔长与锥形量子级联激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  高瑜
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