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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao, XP;  Wang, BY;  Yu, RS;  Wei, L;  Wang, H;  Zhao, DG;  Hao, WC;  Wei, L, Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, Key Lab Nucl Anal Tech, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: weil@ihep.ac.cn
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