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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma WQ;  Sun YW;  Yang XJ;  Jiang DS;  Chen LH;  Ma, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab NanoOptoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqma@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘玉敏;  俞重远;  杨红波;  黄永箴
Adobe PDF(901Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：569/161  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘玉敏;  俞重远;  杨红波;  黄永箴
Adobe PDF(555Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：844/197  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄秀颀;  刘峰奇;  车晓玲;  刘俊岐;  雷文;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘玉敏;  俞重远;  杨红波;  黄永箴
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：754/236  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  武光明;  李月法;  贾锐
Adobe PDF(338Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：740/239  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Yoon SF;  Li HX;  Li JM;  Zeng YP;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn BLK S1,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers 会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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InGaas Gaas Quantum Dots  Infrared Absorption  Self-organization  X-ray-diffraction  Islands  Transitions  
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Zhuang QD;  Li HX;  Pan L;  Li JM;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(130Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1263/339  |  提交时间：2010/11/15
X-ray-diffraction  Islands  Surfaces  Growth