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| 折射面入光探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人: 廖栽宜; 张云霄; 周 帆; 赵玲娟; 王 圩
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma SS (Ma Shan-Shan); Wang, BR (Wang Bao-Rui); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Wu DH (Wu Dong-Hai); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan); Ma, SS, Chinese Acad Sci, SKLSM, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bqsun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH; Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com; rhyu@tsinghua.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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| AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 刘乃鑫
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM; Sun LL Chinese Acad Sci Inst Semicond Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lilisun@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Majid A; Sharif R; Zhu JJ; Ali A; Majid A Quaid I Azam Univ Dept Phys Adv Mat Phys Lab Islamabad Pakistan. E-mail Address: abdulmajid40@yahoo.com; akbar@qau.edu.pk
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| GaN/AlN多量子阱MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 马志芳
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| 与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 卢国军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu J; Meng HJ; Deng JJ; Xu PF; Chen L ; Zhao JH; Jia QJ; Zhao JH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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