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Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2), GUILDFORD, ENGLAND, AUG 05-08, 2002
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical-absorption  Zns-te  Transition  Edge  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu BZ;  Zhu QS;  Sun XH;  Wan SK;  Wang ZG;  Nagai H;  Kawaguchi Y;  Hiramatsu K;  Sawaki N;  Qu BZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Huang JS;  Xu ZY;  Yang CL;  Liu J;  Ge WK;  Zhang Y;  Mascarenhas A;  Xin HP;  Tu CW;  Luo XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li GH;  Fang ZL;  Su FH;  Ma BS;  Ding K;  Han HX;  Sou IK;  Ge WK;  Li GH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  葛惟锟;  苏付海;  马宝珊;  刘南竹;  朱作明;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强
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