SEMI OpenIR
(本次检索基于用户作品认领结果)

浏览/检索结果: 共7条,第1-7条 帮助

限定条件            
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/397  |  提交时间:2012/07/17
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1896/355  |  提交时间:2012/09/09
氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1579/234  |  提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1509/288  |  提交时间:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1702/266  |  提交时间:2011/08/31
自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  孙波;  伊晓燕;  刘志强;  汪炼成;  郭恩卿;  王国宏
Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/285  |  提交时间:2012/09/09
GaN基薄膜芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘硕;  郭恩卿;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/190  |  提交时间:2012/09/09