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Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Wang D;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures  In-doping  2deg  Electron Sheet Density  X-ray Diffraction  Etching  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Phase Epitaxy  Mobility  Growth  Films  
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2 会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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Diodes  
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 195 (1-4), LA JOLLA, CALIFORNIA, MAY 31-JUN 04, 1998
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Han PD;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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Diodes