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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WJ;  Chen W;  Liu AJ;  Xing MX;  Ren G;  Zhang YJ;  Chen LH;  Zheng WH;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Qinghua E Rd 35A, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lv, XQ;  Liu, N;  Jin, P;  Wang, ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhong, L;  Ma, XY;  Zhong, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhongli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY;  Cai LE;  Zhang BP;  Li SQ;  Lin F;  Shang JZ;  Wang DX;  Lin KC;  Yu JZ;  Wang QM;  Zhang, JY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn;  qmwang@red.semi.ac.cn
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Characteristics of triangle and square InP/InGaAsP microlasers 会议论文
ICTON 2008: PROCEEDINGS OF 2008 10TH ANNIVERSARY INTERNATIONAL CONFERENCE ON TRANSPARENT OPTICAL NETWORKS, Athens, GREECE, JUN 22-26, 2008
作者:  Huang YZ;  Wang SJ;  Che KJ;  Hu YH;  Du Y;  Yu LJ;  Huang, YZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Fan YM;  Yin ZG;  Cai PF;  Chen NF;  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai LE;  Zhang JY;  Zhang BP;  Li SQ;  Wang DX;  Shang JZ;  Lin F;  Lin KC;  Yu JZ;  Wang QM;  Cai, LE, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, SJ;  Zhu, NH;  Liu, Y;  Liu, YZ;  Zhang, SJ, Univ Elect Sci & Technol China, Sch Optoelect Informat, Chengdu 610054, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjzhang@uestc.edu.cn
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Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Ma, XY;  Zhong, L;  Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Laser Diodes  Laser Bar  Stacks  High Power  Power Conversion Efficiency  Reliability  Packaging  
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd