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Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:  Ma, XY;  Zhong, L;  Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Laser Diodes  Laser Bar  Stacks  High Power  Power Conversion Efficiency  Reliability  Packaging  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J;  Ma XY;  Bai YM;  Cao L;  Wu DJ;  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgunwung@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang L;  Lin T;  Wei X;  Wang GH;  Zhang GZ;  Zhang HB;  Ma XY;  Jiang, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei X;  Wang GH;  Zhang GZ;  Zhu XP;  Ma XY;  Chen LH;  Wei X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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High brightness AlGaInP orange light emitting diodes 会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:  Li YZ;  Wang GH;  Ma XY;  Peng HI;  Wang ST;  Chen LH;  Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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High Brightness  Led  Mocvd  Algainp  
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes 会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:  Wang GH;  Ma XY;  Zhang YF;  Peng HI;  Wang ST;  Li YZ;  Chen LH;  Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Led  Coupled Distributed Bragg Reflector  Mocvd  Algainp