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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
于芳 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [1]
语种
英语 [4]
出处
JOURNAL OF... [1]
MATERIALS ... [1]
REVISTA ME... [1]
SILICON CA... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [4]
资助机构
China Natl... [1]
IUMRS. [1]
Japan Soc ... [1]
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SEMI OpenIR
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作者升序
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1919/307
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Niu ZC
;
Wang XD
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1185/221
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提交时间:2010/11/15
Crystal Morphology
Quantum Dots
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Gallium Arsenide
Semiconducting Indium Gallium Arsenide
1.35 Mu-m
Gaas-surfaces
Photoluminescence
Islands
Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Solid Phase Epitaxy
SilicOn On Sapphire (Sos)
Carrier Mobility
Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001)
会议论文
REVISTA MEXICANA DE FISICA, 44, OAXACA, MEXICO, JAN 11-16, 1998
作者:
Zou LF
;
Acosta-Ortiz SE
;
Zou LX
;
Regalado LE
;
Sun DZ
;
Wang ZG
;
Zou LF Ctr Invest Opt AC Unidad Aguascalientes Juan Montoro 207Zona Ctr Aguascalientes 20000 Ags Mexico.
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浏览/下载:1338/219
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提交时间:2010/11/15
Electrical-properties
Ion-implantation
Regrowth
Silicon
Layers