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MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang JY;  Huang QS;  Wang ZG;  Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Er-doped Silicon  Photoluminescence  Energy Transfer  Al2o3 Wave-guides  Er  Electroluminescence  Epitaxy  Gaas  
Influence of precipitates on GaN epilayer quality 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Kang JY;  Huang QS;  Wang ZG;  Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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Precipitate  Gan  Wds  Tem  Cathodoluminescence  Vapor-phase Epitaxy  Films  Mechanism  Growth  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：921/266  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JJ;  Chen WD;  Wang YQ;  He J;  Zheng WM;  Wang ZG;  Liang JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(239Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：822/213  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JJ;  Wang YQ;  Chen WD;  Wang ZG;  Chang Y;  Liang JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：854/259  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liang JJ;  Chen WD;  Wang YQ;  Chang Y;  Wang ZG;  Liang JJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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