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抗辐射128Kb PDSOI SRAM的实现与结构化ASIC的设计方法研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  赵凯
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作者:  Zhu, XF (Zhu, Xianfang);  Wang, ZG (Wang, Zhanguo);  Zhu, XF, Univ Illinois, Mat Res Lab, Urbana, IL 61801 USA. 电子邮箱地址: zhux@xmu.edu.cn;  zgwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu SL;  Jiang DS;  Dai JM;  Yang CL;  He HT;  Ge WK;  Wang JN;  Chang K;  Zhang JY;  Shen DZ;  Wang, JN, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Phys, Clear Water Bay, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. E-mail: phjwang@ust.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Wang YT;  Yang H;  Jiang DS;  Jahn U;  Ploog KH;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jpliu@red.semi.ac.cn
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