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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1620/229  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(939Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/194  |  提交时间:2011/08/31 |
| 垂直相变存储器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256816.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1419/245  |  提交时间:2011/08/31 |
| 纳流体测试器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010034281.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 王晓东; 杨富华; 马慧莉; 程凯芳 Adobe PDF(592Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1584/211  |  提交时间:2011/08/31 |
| 垂直相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010113827.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(402Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1243/199  |  提交时间:2011/08/31 |
| 垂直相变存储器及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010256828.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(521Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1332/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07 发明人: 刘雯; 王晓东; 程凯芳; 马慧丽; 王晓峰; 徐锐; 杨富华 Adobe PDF(3017Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1385/290  |  提交时间:2012/09/07 |