SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
垂直相变存储器及制备方法
张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract一种垂直相变存储器,包括:一衬底;一底部电极制作在衬底上;一下电热绝缘材料层制作在底部电极上;一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上;一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上;其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔;一加热电极插塞柱,该加热电极插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内;一相变材料插塞柱,该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内,并位于加热电极插塞柱之上;一顶部电极,该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上,并覆盖相变材料插塞柱。
metadata_83半导体集成技术工程研究中心
Patent NumberCN201010256828.5
Language中文
Status公开
Application NumberCN201010256828.5
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22355
Collection半导体集成技术工程研究中心
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GB/T 7714
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 垂直相变存储器及制备方法. CN201010256828.5.
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