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垂直相变存储器及制备方法
张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种垂直相变存储器,包括:一衬底;一底部电极制作在衬底上;一下电热绝缘材料层制作在底部电极上;一低热导率材料包裹层制作在下电热绝缘材料层上;一上电热绝缘材料层制作在低热导率材料包裹层上;其中所述的下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层的中间有一小孔;一加热电极插塞柱,该加热电极插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内;一相变材料插塞柱,该相变材料插塞柱位于下电热绝缘材料层、低热导率材料包裹层和上电热绝缘材料层中间的小孔内,并位于加热电极插塞柱之上;一顶部电极,该顶部电极制作在上电热绝缘材料层上,并覆盖相变材料插塞柱。
部门归属半导体集成技术工程研究中心
专利号CN201010256828.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN201010256828.5
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22355
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
张加勇,王晓峰,马慧莉,等. 垂直相变存储器及制备方法. CN201010256828.5.
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