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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体人工神经网络实... [1]
作者
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会议论文 [17]
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2010 [1]
2009 [3]
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Mode Coupling and Directional Emission in Mirocylinder Lasers
会议论文
22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE: 119-120 2010, Kyoto, JAPAN, SEP 26-30, 2010
作者:
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang SJ (Wang Shi-Jiang)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Lin JD (Lin Jian-Dong)
;
Che KJ (Che Kai-Jun)
;
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Du Y (Du Yun)
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提交时间:2011/07/14
Tunneling magnetoresistance in (Ga,Mn)As/Al-O/CoFeB hybrid structures
会议论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Austin, TX, NOV 11-14, 2008
作者:
Du GX
;
Babu MR
;
Han XF
;
Deng JJ
;
Wang WZ
;
Zhao JH
;
Wang WD
;
Tang JK
;
Han, XF, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, State Key Lab Magnetism, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China.
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浏览/下载:2265/441
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提交时间:2010/03/09
Spin Injection
40-Gbps Low Chirp Electroabsorption Modulated Distributed Feedback Laser
会议论文
Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7219, San Jose, CA, JAN 28-29, 2009
作者:
Cheng YB (Cheng Yuanbing)
;
Pan JQ (Pan Jiaoqing)
;
Wang Y (Wang Yang)
;
Zhao LJ (Zhao Lingjuan)
;
Zhu HL (Zhu Hongliang)
;
Wang W (Wang Wei)
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提交时间:2011/07/14
Human-Inspired Order-based Block Feature in the HSI Color Space for Image Retrieval
会议论文
2009 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ROBOTICS AND BIOMIMETICS (ROBIO 2009), VOLS 1-4: 1978-1982 2009, Guilin, PEOPLES R CHINA, DEC 19-23, 2009
作者:
Qin H (Qin Hong)
;
Wang SJ (Wang Shoujue)
;
Lu HX (Lu Huaxiang)
;
Chen XL (Chen Xinliang)
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提交时间:2011/07/14
Advances in high power semiconductor diode lasers - art. no. 682402
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS AND APPLICATIONS III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-13, 2007
作者:
Ma, XY
;
Zhong, L
;
Ma, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Laser Diodes
Laser Bar
Stacks
High Power
Power Conversion Efficiency
Reliability
Packaging
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
Electronic structure and optical property of semiconductor nanocrystallites
会议论文
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 30 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Xia JB
;
Chang K
;
Li SS
;
Xia JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: xiajb@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Semiconductor Cluster
Self-assembled Quantum Dot
Diluted Magnetic Semiconductor
Electronic Structure
Resonant Tunneling
Quantum Dots
Exciton-states
Spheres
Electronic states of InAs verfically-assembled quantum disks in magnetic fields and two-electron quantum-disk qubit
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Dong, QR
;
Niu, ZC
;
Dong, QR, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Dots
Transport properties through quantum dot in a vertical electric field
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Li SS
;
Xia JB
;
Li SS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hole Transport
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Surface Processes
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Gallium Compounds
Gan(0001) Surfaces
Reconstructions