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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王连洲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 孟焘; 李论雄; 王占国; 朱贤方
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 朱贤方; 王占国
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| 制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 黄风义; 王保强; 朱占平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Meng T; Zhu XF; Wang ZG; Meng, T, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Low Dimens Nanostruct, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: mtao@sina.com
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孟焘; 朱贤方; 王占国
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| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵 ; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
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