SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据
吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲
2009
Source Publication科学通报
Volume54Issue:19Pages:2988-2992
Abstract在纳米线的制备中,气-液-固(VLS)生长机制得到了人们的广泛认可,但该机制的很多细节还停留在模型阶段.依托实验室自行设计的一台生长条件高度可控的高温化学气相沉积(CVD)系统,采用较为简便的方法,直接在Si片衬底上制备出了SiO_x纳米线.通过严格控制实验参数,用离位观测捕捉到了纳米线的催化、形核和长大的一系列过程及其相关细节,并发现纳米线从细到粗的气-液-固(VLS)生长机制.讨论了气-液-固(VLS)机制中气态Si原子的来源以及纳米线的催化、形核和长大过程中的纳米曲率效应和"纳米熟化"现象,取得了对SiO_x纳米线VLS催化生长机制的理解的突破.
metadata_83厦门大学中同-澳大利亚功能纳米材料联合实验室物理系;厦门大学中同-澳大利亚功能纳米材料联合实验室,物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家科技计划国际科技合作与交流专项,国家重点基础研究发展计划,国家自然科学基金,中澳科技合作特别基金,教育部科技重点项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3694694
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15685
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吴燕,黄胜利,朱贤方,等. CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据[J]. 科学通报,2009,54(19):2988-2992.
APA 吴燕,黄胜利,朱贤方,李论雄,王占国,&王连洲.(2009).CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据.科学通报,54(19),2988-2992.
MLA 吴燕,et al."CVD制备SiO_x纳米线的各个生长阶段的直接实验证据".科学通报 54.19(2009):2988-2992.
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