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| 基于光压效应的红外光子探测方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102252753A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-11-23, 2012-09-07 发明人: 张逢新; 杨晋玲; 朱银芳 Adobe PDF(364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/393  |  提交时间:2012/09/07 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1501/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1597/229  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(939Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/194  |  提交时间:2011/08/31 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1623/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:898/86  |  提交时间:2014/10/29 |
| 与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 季安; 杨富华 Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:687/96  |  提交时间:2014/10/31 |
| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:876/124  |  提交时间:2014/10/31 |
| 沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10 发明人: 何志; 张峰; 樊中朝; 赵咏梅; 孙国胜; 季安; 杨富华 Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:881/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 付英春; 王晓峰; 季安; 杨富华 Adobe PDF(1522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:726/66  |  提交时间:2014/12/25 |