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基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  李家业;  王雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘兴昉;  孙国胜;  李晋闽;  赵永梅;  王雷;  赵万顺;  李家业;  曾一平
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可集成多信道色散补偿器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘育梁;  耿敏明;  程振杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang, ZJ;  Fang, C;  Shi, LJ;  Liu, YH;  He, MC;  Fang, ZJ, China Univ Min & Technol, Sch Mech & Civil Engn, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nnfang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  余洪敏;  陈陵都;  刘忠立
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