中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1384/211  |  提交时间：2009/06/11
高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1316/187  |  提交时间：2009/06/11
半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王大拯;  冯晓明;  王俊;  吕卉;  李伟;  刘媛媛;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1719/238  |  提交时间：2009/06/11
一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋国峰;  高建霞;  郭宝山;  陈良惠
Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1121/187  |  提交时间：2009/06/11
微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  高建霞;  宋国峰;  甘巧强;  陈良惠
Adobe PDF(516Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1186/181  |  提交时间：2009/06/11
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王新华;  冯春;  王保柱;  马志勇;  王军喜;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅
Adobe PDF(973Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1474/176  |  提交时间：2009/06/11
太赫兹量子级联半导体激光器材料及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  邵烨;  王占国
Adobe PDF(981Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1796/225  |  提交时间：2009/06/11
吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  王宝军;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
Adobe PDF(775Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1630/213  |  提交时间：2009/06/11
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Tang J;  Wang XL;  Chen TS;  Xiao HL;  Ran JX;  Zhang ML;  Hu GX;  Feng C;  Hou QF;  Wei M;  Li JM;  Wang ZG;  Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3875Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1880/433  |  提交时间：2010/03/09
Algan/gan Hemts  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, C;  Wang, XL;  Yang, CB;  Xiao, HL;  Zhang, ML;  Jiang, LJ;  Tang, J;  Hu, GX;  Wang, JX;  Wang, ZG;  Feng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cfeng@semi.ac.cn
Adobe PDF(859Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1208/366  |  提交时间：2010/03/08