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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1161/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉 Adobe PDF(207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Pan JQ (Pan Jiao-Qing); Zhao Q (Zhao Qian); Zhu HL (Zhu Hong-Liang); Zhao LJ (Zhao Ling-Juan); Ding Y (Ding Ying); Wang BJ (Wang Bao-Jun); Zhou F (Zhou Fan); Wang LF (Wang Lu-Feng); Wang W (Wang Wei); Pan, JQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Optoelect Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jqpan@red.semi.ac.cn Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1092/338  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Yang FH (Yang Fu-Hua); Wang LC (Wang Liang-Chen); Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn Adobe PDF(407Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1031/325  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma L (Ma Long); Huang YL (Huang Ying-Long); Zhang Y (Zhang Yang); Wang LC (Wang Liang-Chen); Yang FH (Yang Fu-Hua); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Ma, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrat Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: malong@semi.ac.cn Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:973/282  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华 Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:864/356  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙 Adobe PDF(2512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:835/257  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张燕; 龚海梅; 白云; 陈亮; 许金通; 汤英文; 游达; 赵德刚; 郭丽伟; 李向阳 Adobe PDF(217Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1301/446  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 陈亮; 游达; 汤英文; 乔辉; 陈俊; 赵德刚; 张燕; 李向阳; 龚海梅 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:840/265  |  提交时间:2010/11/23 |