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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [21]
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2006 [21]
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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65
70
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80
85
90
95
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WOS被引频次升序
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镜像电荷效应量子元胞自动机的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
汪艳贞
;
吴南健
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浏览/下载:904/148
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提交时间:2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
Adobe PDF(385Kb)
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浏览/下载:1084/166
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1622Kb)
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浏览/下载:1111/117
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提交时间:2009/06/11
一种制备金属锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
Adobe PDF(1501Kb)
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浏览/下载:1237/153
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提交时间:2009/06/11
基于虚拟信源和神经网络的无损数据压缩方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨国为
;
涂序彦
;
王守觉
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浏览/下载:1040/138
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1127/148
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提交时间:2009/06/11
利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
柴春林
;
刘志凯
;
陈涌海
;
陈诺夫
;
王占国
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浏览/下载:1151/128
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu HX (Lu Huaxiang)
;
Lu Y (Lu Yan)
;
Tang ZF (Tang Zhifang)
;
Wang SJ (Wang Shoujue)
;
Lu, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Neural Network Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: luhx@semi.ac.cn
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浏览/下载:991/305
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu Y (Wu Yan)
;
Shi N (Shi Ning)
;
Wang SJ (Wang Shoujue)
;
Wu, Y, Tongji Univ, Dept Comp Sci & Technol, Shanghai 200092, Peoples R China.
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浏览/下载:769/193
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei JS (Wei J. S.)
;
Wang RZ (Wang R. Z.)
;
Yuan RY (Yuan R. Y.)
;
Song XM (Song X. M.)
;
Wang B (Wang B.)
;
Yan H (Yan H.)
;
Wang, RZ, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100022, Peoples R China. E-mail: wrz@bjut.edu.cn
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浏览/下载:857/258
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提交时间:2010/04/11