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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. P. Zhao;   J. Lu;   S. W. Mao;   Z. F. Yu;   D. H. Wei;   J. H. Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. P. Zhao;   J. Lu;   S. W. Mao;   Z. F. Yu;   D. H. Wei;   J. H. Zhao
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  H. Peng, J. Li, S. H. Wei
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ning JQ (Ning J. Q.);  Xu SJ (Xu S. J.);  Wei ZF (Wei Z. F.);  Ruan XZ (Ruan X. Z.);  Ji Y (Ji Yang);  Zheng HZ (Zheng H. Z.);  Liu HC (Liu H. C.);  Xu, SJ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Pokfulam Rd, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sjxu@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(305Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1568/536  |  提交时间:2010/12/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM (Liu J. M.);  Liu XL (Liu X. L.);  Xu XQ (Xu X. Q.);  Wang J (Wang J.);  Li CM (Li C. M.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou W. Z.);  Lin T (Lin T.);  Shang LY (Shang L. Y.);  Yu G (Yu G.);  Gao KH (Gao K. H.);  Zhou YM (Zhou Y. M.);  Wei LM (Wei L. M.);  Cui LJ (Cui L. J.);  Zeng YP (Zeng Y. P.);  Guo SL (Guo S. L.);  Chu JH (Chu J. H.);  Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn;  jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, HY (Wei, H. Y.);  Cong, GW (Cong, G. W.);  Zhang, PF (Zhang, P. F.);  Hu, WG (Hu, W. G.);  Wu, JJ (Wu, J. J.);  Jiao, CM (Jiao, C. M.);  Liu, XL (Liu, X. L.);  Zhu, QS (Zhu, Q. S.);  Wang, ZG (Wang, Z. G.);  Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1110/391  |  提交时间:2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei JS (Wei J. S.);  Wang RZ (Wang R. Z.);  Yuan RY (Yuan R. Y.);  Song XM (Song X. M.);  Wang B (Wang B.);  Yan H (Yan H.);  Wang, RZ, Beijing Univ Technol, Coll Mat Sci & Engn, Lab Thin Film Mat, Beijing 100022, Peoples R China. E-mail: wrz@bjut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  梁松;  边静;  安心;  王伟;  周代兵
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