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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
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选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  李宝霞;  张靖;  王圩
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紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏君磊;  吴远大;  安俊明;  郜定山;  李健;  龚春娟;  胡雄伟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: sslee@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, SS, AST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Li SS (Li S. S.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, China Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
Adobe PDF(306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1307/469  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: sslee@red.semi.ac.cn
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The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:  Li J;  An JM;  Wang HJ;  Xia JL;  Gao DS;  Hu XW;  Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Porous Silicon