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减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
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PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵德刚;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhai TY (Zhai Tianyou);  Zhang XZ (Zhang Xinzheng);  Yang WS (Yang Wensheng);  Ma Y (Ma Ying);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Gu ZJ (Gu Zhanjun);  Yu DP (Yu Dapeng);  Yang H (Yang Hui);  Yao JN (Yao Jiannian);  Yao, JN, Chinese Acad Sci, Inst Chem, Ctr Mol Sci, Key Lab Photochem, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: jnyao@iccas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Liang JW (Liang J. W.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JF (Wang Jian-Feng);  Zhang BS (Zhang Bao-Shun);  Zhang JC (Zhang Ji-Cai);  Zhu JJ (Zhu Jian-Jun);  Wang YT (Wang Yu-Tian);  Chen J (Chen Jun);  Liu W (Liu Wei);  Jiang DS (Jiang De-Sheng);  Yao DZ (Yao Duan-Zheng);  Yang H (Yang Hui);  Wang, JF, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. E-mail: wlino@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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