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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  陈诺夫;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LG;  Yang W;  Chang K;  Chan KS;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu J;  Zhu MF;  Wang LJ;  Liu FZ;  Zhou BQ;  Zhou YQ;  Ding K;  Li GH;  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng, K;  Ma, XY;  Lin, T;  Wang, J;  Liu, SP;  Zhang, GZ;  Zheng, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Engn Res Ctr Optoelect Device, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhengkai@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma BS;  Wang XD;  Luo JW;  Su FH;  Fang ZL;  Ding K;  Niu ZC;  Li GH;  Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Li, K;  Hu, LJ;  Liang, LY;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王俊;  马骁宇;  林涛;  郑凯;  冯小明
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