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自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  王晓晖;  姚文卿;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡桂青;  孔翔;  王乙潜;  万里;  段晓峰;  陆沅;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  曾雄文;  陆启生;  马丽芹;  赵伊君
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