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In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:  Lu DC;  Wang CX;  Yuan HR;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Gan  Annealing Treatment  In-doping  Movpe  Photoluminescence  Chemical-vapor-deposition  Phase Epitaxy  Buffer Layer  Films  Sapphire  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu DC;  Wang CX;  Yuan HR;  Liu XL;  Wang XH;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat & Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  俞建华;  孙承休;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  王成新;  韩培德
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  王成新;  韩培德;  陆大成;  王晓晖;  汪度;  王良臣
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