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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang X;  Wu AM;  Chen J;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Wang, X, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxwang@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Wang, YT;  Yang, H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Q;  Wang, JT;  Wang, H;  Jin, RQ;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Zhao, DG;  Yang, H;  Zhou, SQ;  Wu, MF;  Smeets, D;  Vantomme, A;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunqian519@gmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, ZY;  Tang, CG;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, HH;  Zhang, FC;  Roberts, SG;  Luo, HH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hhluo@semi.ac.cn
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A Low Power Baseband Chain for CMMB Application 会议论文
2008 11TH IEEE SINGAPORE INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMMUNICATION SYSTEMS (ICCS), Guangzhou, PEOPLES R CHINA, NOV 19-21, 2008
作者:  Ma, HP;  Yuan, F;  Liu, SL;  Shi, Y;  Dai, FF;  Ma, HP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Cmmb  Bicmos  Low Pass Filter (Lpf)  Baseband  Temperature Compensation  Variable Gain Amplifier (Vga)  Calibration  
Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer  
AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Tang, J;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Ran, JX;  Wang, CM;  Wang, XY;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Performance  Heterostructures  Optimization  Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, FC;  Luo, HH;  Wang, TS;  Roberts, SG;  Todd, RI;  Zhang, FC, State Key Lab Metastable Mat Sci & Technol, Qinhuangdao 066004, Peoples R China. 电子邮箱地址: zfc@ysu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZH;  Wang, BS;  Su, ZB;  Wang, ZH, Chinese Acad Sci, Inst Theoret Phys, Beijing 100080, Peoples R China.
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