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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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1998 [20]
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发表日期:1998
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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The growth and characterization of GaN grown on a gamma-Al2O3/(001) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang LS Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:924/0
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提交时间:2010/10/29
Sapphire
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Han PD
;
Lu DC
;
Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:903/0
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提交时间:2010/10/29
Diodes
Preparation and photoluminescence of nc-Si/SiO2 MQW
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Yu Z
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1328/350
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提交时间:2010/10/29
Dynamics of formation of defects in annealed InP
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1242/387
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1204/273
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Yang GW
;
Xu ZT
;
Xu JY
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Chen LH
;
Yang GW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1409/382
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提交时间:2010/10/29
Strained Quantum Well
Semiconductor Lasers
Formation mechanism of defects in annealed InP
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1171/254
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提交时间:2010/10/29
Defects Formation
Hydrogen Related Defects
Semi-insulating
Inp
High brightness AlGaInP orange light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Li YZ
;
Wang GH
;
Ma XY
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Chen LH
;
Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
High Brightness
Led
Mocvd
Algainp
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1255/275
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Hydrogen related defects in InP
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SYMPOSIUM ON LIGHT EMITTING DEVICES FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS AND THE TWENTY-EIGHTH STATE-OF-THE-ART PROGRAM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS, 98 (2), SAN DIEGO, CA, MAY 03-08, 1998
作者:
Han YJ
;
Liu XL
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Han YJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29