中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共23条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1265/216  |  提交时间：2009/06/11
在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔军朋;  段垚;  王晓峰;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1231/201  |  提交时间：2009/06/11
氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段垚;  王晓峰;  崔军朋;  曾一平
Adobe PDF(1207Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1355/176  |  提交时间：2009/06/11
高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  段垚;  崔军朋;  曾一平
Adobe PDF(440Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1220/187  |  提交时间：2009/06/11
一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  姚飞;  薛春来;  成步文;  王启明
Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1226/199  |  提交时间：2009/06/11
半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(497Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1309/187  |  提交时间：2009/06/11
制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  薛春来;  成步文;  姚飞;  王启明
Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1255/181  |  提交时间：2009/06/11
变温霍尔实验仪 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-03-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  于耀川;  徐寿定;  范东华;  胡长有;  周仁楷;  李瑞云;  李平江
Adobe PDF(126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1170/145  |  提交时间：2009/06/11
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1481/259  |  提交时间：2011/08/31
基于两端口微腔激光器空间干涉的光学生物传感器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  林建东;  黄永箴;  杨跃德;  肖金龙;  姚齐峰;  吕晓萌;  杜云
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1217/215  |  提交时间：2012/09/09