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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 姚飞; 薛春来 ; 成步文; 王启明
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来 ; 张建国; 左玉华; 王启明
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| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 薛春来 ; 成步文; 姚飞; 王启明
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| 半导体激光器芯片频率响应的测量方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐遥; 王圩
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| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林
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