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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫 Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2769/425  |  提交时间:2010/08/12 |
| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 何金孝 Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:945/213  |  提交时间:2010/03/19 |
| 在蓝宝石衬底上二次生长高质量ZnO单晶厚膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 何金孝; 段 尭; 曾一平; 王晓峰 Adobe PDF(628Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1304/238  |  提交时间:2010/03/19 |
| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1277/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1244/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Gai YQ; Li JB; Yao B; Xia JB; Gai YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn Adobe PDF(180Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1614/512  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH; Iqbal J Tsinghua Univ Dept Mat Sci & Engn Adv Mat Lab Beijing 100084 Peoples R China. E-mail Address: javedsaggu73@yahoo.com; rhyu@tsinghua.edu.cn Adobe PDF(750Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/387  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB; Zhang XW; Song HP; Ying J; Guo Y; Yang AL; Yin ZG; Chen NF; Zhu QS; You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2053/637  |  提交时间:2010/03/08 |
| ZnO厚膜的金属源气相外延生长 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 段垚 Adobe PDF(6252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:860/31  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li XK; Li QS; Liang DC; Xu YD; Xie XJ; Li XK Qufu Normal Univ Coll Phys & Engn Qufu 273165 Peoples R China. E-mail Address: phylxk@163.com Adobe PDF(1347Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:951/281  |  提交时间:2010/03/08 |