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| 在锑化镓衬底上生长InAsxSb1-x薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998 发明人: 高福宝; 陈诺夫; 吴金良; 刘 磊
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| 单光路量子效率测试系统 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990 发明人: 刘 磊; 陈诺夫; 曾湘波; 张 汉; 吴金良; 高福宝
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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉 ; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉![](/image/person.jpg)
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| 自动搅拌滴料桶 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 王大拯; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘秀英; 张海艳; 赖剑雷; 刘素平; 马骁宇
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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉 ; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉![](/image/person.jpg)
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| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉![](/image/person.jpg)
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| 多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 路秀真
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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国
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