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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang NH;  Wang XL;  Zeng YP;  Xiao HL;  Wang JX;  Liu HX;  Li JM;  Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XY;  Zhou ZP;  Tan PH;  Zhou JJ;  Song L;  Sun LF;  Jiang P;  Liu LF;  Zhao XW;  Luo SD;  Zhang ZX;  Liu DF;  Wang JX;  Gao Y;  Zhou WY;  Wang G;  Dou, XY, Chinese Acad Sci, Inst Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: wyzhou@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XY;  Zhou ZP;  Tan PH;  Song L;  Liu LF;  Zhao XW;  Luo SD;  Yan XQ;  Liu DF;  Wang JX;  Gao Y;  Zhang ZX;  Yuan HJ;  Zhou WY;  Xie SS;  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Ctr Condensed Matter Phys, Inst Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: xydou@aphy.iphy.ac.cn;  ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Wang CM;  Hu GX;  Wang JX;  Chen TS;  Jiao G;  Li JP;  Zeng YP;  Li JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn;  cmwang@red.semi.ac.cn
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