×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2002 [5]
语种
英语 [5]
出处
COMMAD 200... [1]
INTERNATIO... [1]
INTERNATIO... [1]
MATERIALS ... [1]
SILICON CA... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
Ansto Sims... [1]
Chinese Ma... [1]
会议赞助商: Sci... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
发表日期:2002
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(188Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1620/265
  |  
提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Temperature Photoluminescence
Quantum-well
Alloys
Relaxation
Gaas1-xnx
Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1208Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1336/174
  |  
提交时间:2010/11/15
Inp(001)
Epitaxy
Gaas
Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Ye XL
;
Chen YH
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(125Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1203/220
  |  
提交时间:2010/11/15
Reflectance-difference Spectroscopy
Indium Segregation
Ingaas/gaas Quantum Wells
Epitaxy-grown Ingaas/gaas
Surface Segregation
Interface
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(751Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1629/300
  |  
提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
Adobe PDF(1325Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1519/242
  |  
提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy