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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang HG; Zhu NH; Man JW ; Ke JH; Zhang BH; Han W; Chen W; Yuan HQ; Wang X; Xie L; Zhao LJ; Wang W; Zhang HG CAS Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn
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| 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文; 董志远; 段满龙; 魏学成
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| InP单晶锭退火处理方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵友文; 段满龙
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| 提高硅薄膜致密性的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 谭满清; 赵妙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵妙; 谭满清; 周代兵; 吴旭明; 王晓东
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhao C (Zhao C.); Chen YH (Chen Y. H.); Zhao M (Zhao Man); Zhang CL (Zhang C. L.); Xu B (Xu B.); Yu LK (Yu L. K.); Sun J (Sun J.); Lei W (Lei W.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: czhao@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 孙文荣; 段满龙; 董志远; 杨子祥; 吕旭如; 王应利
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