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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP; Chang BK Nanjing Univ Sci & Technol Inst Elect Engn & Optoelect Nanjing 210094 Peoples R China. E-mail Address: bkchang@mail.njust.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 黄胜利; 朱贤方; 李论雄; 王占国; 王连洲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wu, D; Wang, H; Wu, B; Ni, H; Huang, S; Xiong, Y; Wang, P; Han, Q; Niu, Z; Tangring, I; Wang, SM; Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 孟焘; 李论雄; 王占国; 朱贤方
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 郭杰; 孙维国; 陈慧娟; 彭震宇; 鲁正雄; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川
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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 熊志刚; 金爱子; 陈弘达; 张道中
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