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| 电学测试的汞探针装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12 发明人: 纪 刚; 孙国胜; 宁 瑾; 刘兴昉; 赵永梅; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2002/331  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12 发明人: 孙国胜; 王 雷; 赵万顺; 曾一平; 叶志仙; 刘兴昉 Adobe PDF(801Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1949/301  |  提交时间:2010/08/12 |
| 氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 宁 瑾; 王 亮; 刘兴昉; 赵万顺; 王 雷; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1682/262  |  提交时间:2010/03/19 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Shi HL; Zhang P; Li SS; Sun B; Wang BT; Zhang P Inst Appl Phys & Computat Math LCP POB 8009 Beijing 100088 Peoples R China. E-mail Address: zhang_ping@iapcm.ac.cn Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1678/473  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun XM; Zhang H; Zhu H; Xu P; Li GR; Liu J; Zheng HZ; Sun XM Chinese Acad Sci State Key Lab Microstruct & Superlattices Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/358  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 彭震宇; 鲁正雄; 孙维国; 郝瑞亭; 周志强; 许应强; 牛智川 Adobe PDF(476Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1696/492  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 郭杰; 孙维国; 彭震宇; 周志强; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1671/721  |  提交时间:2010/11/23 |
| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1492/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun CH; Wang NX; Zhou SY; Hu XJ; Chen P; Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenlab@mail.ipc.ac.cn; zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn Adobe PDF(735Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/499  |  提交时间:2010/03/08 |