×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [65]
作者
尹志岗 [8]
王玉田 [5]
陈良惠 [2]
杨少延 [2]
于芳 [1]
赵立华 [1]
更多...
文献类型
期刊论文 [51]
专利 [9]
会议论文 [3]
成果 [2]
发表日期
2010 [1]
2009 [3]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [4]
2005 [6]
更多...
语种
中文 [44]
英语 [21]
出处
半导体学报 [13]
物理学报 [4]
APPLIED PH... [3]
JOURNAL OF... [3]
红外与毫米波学报 [3]
电路与系统学报 [2]
更多...
资助项目
收录类别
CSCD [36]
SCI [15]
CPCI-S [2]
其他 [1]
资助机构
国家自然科学基金 [3]
国家自然科学基金,北... [2]
China Opt ... [1]
IEEE Beiji... [1]
National "... [1]
SPIE.; Chi... [1]
更多...
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共65条,第1-10条
帮助
限定条件
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
倒锥波导耦合器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:
尹小杰
;
王 玥
;
吴远大
;
安俊明
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
Adobe PDF(399Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1749/265
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li YH
;
Walsh A
;
Chen SY
;
Yin WJ
;
Yang JH
;
Li JB
;
Da Silva JLF
;
Gong XG
;
Wei SH
;
Li YH Fudan Univ Dept Phys Shanghai 200433 Peoples R China. E-mail Address: a.walsh@ucl.ac.uk
;
swei@nrel.gov
Adobe PDF(90Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1231/482
  |  
提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li JS
;
Wang H
;
Chen XF
;
Yin ZW
;
Shi YC
;
Lu YQ
;
Dai YT
;
Zhu HL
;
Li JS Nanjing Univ Microwave Photon Technol Lab Natl Lab Microstruct Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: lijingsi@gmail.com
;
chenxf@nju.edu.cn
Adobe PDF(540Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1574/518
  |  
提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan Ling
;
Ni Weining
;
Hao Zhikun
;
Shi Yin
;
Li Wenchang
Adobe PDF(1111Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:976/302
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin ZG
;
Chen NF
;
Li Y
;
Zhang XW
;
Bai YM
;
Chai CL
;
Xie YN
;
Zhang J
;
Yin, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhg@semi.ac.cn
Adobe PDF(296Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:991/275
  |  
提交时间:2010/03/08
Operational Optimization of GaN Thin Film Growth Employing Numerical Simulation in a Showerhead MOCVD Reactor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Yin, HB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Li, JM
;
Yin, HB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(3395Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1405/326
  |  
提交时间:2010/03/09
On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Shou-Li Z
;
De-Ping X
;
Ya-Li I
;
Hai-Lin C
;
Yin-Zhe C
;
Ang M
;
Ji-He L
;
Jun-Hua G
;
Shou-Li, Z, Zhejiang Univ Technol, Coll Informat Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China.
Adobe PDF(431Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1645/301
  |  
提交时间:2010/03/09
Rce- P-i-n-pd
在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘力锋
;
陈诺夫
;
尹志岗
;
杨霏
;
柴春林
Adobe PDF(291Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1581/202
  |  
提交时间:2009/06/11
反馈型全差分调制器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李霄鹍
;
石寅
Adobe PDF(364Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:991/137
  |  
提交时间:2009/06/11
全集成高线性三角波发生器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李霄鹍
;
石寅
;
刘忠立
Adobe PDF(415Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1205/167
  |  
提交时间:2009/06/11