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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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