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| 聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 黄添懋 ; 王晓晖; 陈晨龙; 吴金良; 董毅
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| 硅V形槽板及利用硅V形槽板装配微丝电极阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 张若昕; 裴为华; 隋小红
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| CMOS电路与MEMS微电极的单片集成化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 隋晓红; 裴为华
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| 砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 梁平; 王晓晖
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| 聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 王晓晖; 梁平; 陆大成
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| 集成太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 王晓晖; 陆大成
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| 一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 韩培德; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 朱勤生; 王占国
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| 一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 王占国
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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 基于交错时序检测相消机制的阵列式电容传感器接口电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人: 张旭; 胡晓晖; 刘鸣; 陈弘达
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