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硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐光华;  徐波;  叶小玲;  金鹏;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  姜立稳;  孔金霞;  孔宁
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InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孔金霞;  徐波;  王占国
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量子级联探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010191861.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孔宁;  刘俊岐;  李路;  刘峰奇;  王利军;  王占国
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磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王科范;  杨晓光;  杨涛;  王占国
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有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076560.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张长沙;  王占国;  石明吉;  彭文博;  刘石勇;  肖海波;  廖显伯;  孔光临;  曾湘波
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砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  梁德春;  李新坤;  金鹏;  王占国
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
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电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910078863.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  梁松;  孔端花;  朱洪亮;  王圩
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用于多电流注入区器件的倒装焊结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427108A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李新坤;  金鹏;  王占国
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