电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法; 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法
梁松; 孔端花; 朱洪亮; 王圩
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31 ; 2011-08-31 ; 2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法,包括:选择一磷化铟衬底;在磷化铟衬底上外延制作多量子阱有源区;在多量子阱有源区上制作一光栅;在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层;在光限制层上生长电接触层;在电接触层上制作P面电极;在P面电极上横向制作出两条电极隔离沟,该两条电极隔离沟之间为自脉动激光器的第一分布反馈激光器,一侧为自脉动激光器的第二分布反馈激光器,另一侧为电吸收调制器;衬底减薄后在整个管芯的底部制作N面电极;在管芯的一端蒸镀高反射膜,另一端蒸镀抗反射薄膜,完成器件的制作。利用本发明,降低了ROF系统发射器的功率损耗和制作成本,提高了系统的稳定性。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910078863.X
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910078863.X
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22277
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
梁松,孔端花,朱洪亮,等. 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法, 电吸收调制器与自脉动激光器单片集成器件的制作方法. CN200910078863.X.
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