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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张富强;  陈诺夫
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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一种离子或生物检测探头的基座 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1989-06-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  汪正孝;  张智宏;  张允强
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